R6024ENZ1C9
LAPIS Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить R6024ENZ1C9 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить R6024ENZ1C9 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | R6024ENZ1C9 |
|---|---|
| производитель | LAPIS Semiconductor |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 24A TO247 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $4.44 | $3.968 | $3.253 | $2.634 | $2.222 | |
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-247 |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 165 mOhm @ 11.3A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 120W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-247-3 |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 17 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1650pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 600V |
| Подробное описание: | N-Channel 600V 24A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить R6024ENZ1C9, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить R6024ENZ1C9 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали R6024ENZ1C9. Цена и время за выполнение R6024ENZ1C9 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для R6024ENZ1C9
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
R6021035ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 | запрос |
 |
R6024KNZ1C9 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247 | запрос |
 |
R6024KNJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS | запрос |
 |
R6024ENZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF | запрос |
|
R6024KNZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF | запрос |
|
R6021425HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 | запрос |
|
R6021022PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 | запрос |
|
R6030222PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB | запрос |
|
R6025FNZ1C9 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 25A TO247 | запрос |
|
R6021435ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205 | запрос |
|
R6025FNZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF | запрос |
|
R6025ANZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF | запрос |
|
R6021235ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205 | запрос |
|
R6024ENJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 24A LPT | запрос |
|
R6021025HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 | запрос |
 |
R6024ENX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 24A TO220 | запрос |
|
R6030225HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB | запрос |
|
R6021222PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205 | запрос |
|
R6024KNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM | запрос |
|
R6021225HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 | запрос |