R6030MNX
LAPIS Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить R6030MNX с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить R6030MNX с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | R6030MNX |
|---|---|
| производитель | LAPIS Semiconductor |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $6.38 | $5.693 | $4.668 | $3.78 | $3.188 | |
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | ±30V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-220FM |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 15A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 90W (Tc) |
| Упаковка /: | TO-220-3 Full Pack |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 13 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 2180pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 600V |
| Подробное описание: | N-Channel 600V 30A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220FM |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить R6030MNX, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить R6030MNX PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали R6030MNX. Цена и время за выполнение R6030MNX в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для R6030MNX
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
R6035ENZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF | запрос |
 |
R6031022PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 | запрос |
|
R6031425HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 | запрос |
|
R6031025HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 | запрос |
|
R6030825HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB | запрос |
 |
R6030ENX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 30A TO220 | запрос |
|
R6030835ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB | запрос |
 |
R6030ENZ1C9 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 30A TO247 | запрос |
|
R6030KNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM | запрос |
|
R6030KNZ1C9 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 | запрос |
|
R6030ENZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF | запрос |
|
R6030KNXC7 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM | запрос |
|
R6035ENZ1C9 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 35A TO247 | запрос |
|
R6031435ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205 | запрос |
|
R6030822PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB | запрос |
|
R6031225HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 | запрос |
|
R6031235ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205 | запрос |
|
R6030KNZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF | запрос |
|
R6031222PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205 | запрос |
|
R6031035ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 | запрос |