RFN10B3STL
LAPIS Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить RFN10B3STL с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить RFN10B3STL с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | RFN10B3STL |
|---|---|
| производитель | Rohm Semiconductor |
| Описание | DIODE GEN PURP 350V 10A CPD |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Пиковое обратное (Макс): | Standard |
|---|---|
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 10A |
| Напряжение - Разбивка: | CPD |
| Серии: | - |
| Статус RoHS: | Digi-Reel® |
| Обратное время восстановления (ТИР): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Сопротивление @ Если, F: | - |
| поляризация: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия: | RFN10B3STLDKR |
| Рабочая температура - Соединение: | 30ns |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | RFN10B3STL |
| Расширенное описание: | Diode Standard 350V 10A Surface Mount CPD |
| Диод Конфигурация: | 10µA @ 350V |
| Описание: | DIODE GEN PURP 350V 10A CPD |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 1.5V @ 10A |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode): | 350V |
| Емкостной @ В.Р., F: | 150°C (Max) |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить RFN10B3STL, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить RFN10B3STL PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали RFN10B3STL. Цена и время за выполнение RFN10B3STL в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для RFN10B3STL
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
RFN1L6STE25 | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS | запрос |
 |
RFN20TF6S | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM | запрос |
 |
RFN20NS6STL | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS | запрос |
 |
RFN1LAM7STFTR | LAPIS Semiconductor | AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE ( | запрос |
 |
RFN20TJ6SGC9 | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220 | запрос |
|
RFN10TF6S | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM | запрос |
|
RFN10NS6STL | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS | запрос |
|
RFN1LAM7STR | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM | запрос |
 |
RFN10NS6SFHTL | LAPIS Semiconductor | FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND | запрос |
 |
RFN10T2D | LAPIS Semiconductor | DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN | запрос |
|
RFN1LAM6STR | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM | запрос |
|
RFN20NS6SFHTL | LAPIS Semiconductor | FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND | запрос |
|
RFN20TF6SFH | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM | запрос |
 |
RFN10BM6SFHTL | LAPIS Semiconductor | SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q | запрос |
|
RFN1L7STE25 | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS | запрос |
|
RFN20NS3SFHTL | LAPIS Semiconductor | FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND | запрос |
|
RFN20NS4SFHTL | LAPIS Semiconductor | FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU | запрос |
 |
RFN10BM3STL | ROHM | DIODE GEN PURP 350V 10A TO252 | запрос |
|
RFN10BM3SFHTL | LAPIS Semiconductor | SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE | запрос |
|
RFN2L4STE25 | LAPIS Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS | запрос |