S4PDHM3/86A
Electro-Films (EFI) / Vishay
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить S4PDHM3/86A с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить S4PDHM3/86A с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | S4PDHM3/86A |
|---|---|
| производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Описание | DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1.1V @ 4A |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 200V |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-277A (SMPC) |
| скорость: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии: | eSMP® |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 2.5µs |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-277, 3-PowerDFN |
| Рабочая температура - Соединение: | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Диод Тип: | Standard |
| Подробное описание: | Diode Standard 200V 4A Surface Mount TO-277A (SMPC) |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 10µA @ 200V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 4A |
| Емкостной @ В.Р., F: | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Номер базового номера: | S4PD |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить S4PDHM3/86A, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить S4PDHM3/86A PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали S4PDHM3/86A. Цена и время за выполнение S4PDHM3/86A в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
