SK315B M4G
TSC (Taiwan Semiconductor)
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить SK315B M4G с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить SK315B M4G с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | SK315B M4G |
|---|---|
| производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Описание | DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO214AA |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 6000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.174 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 950mV @ 3A |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 150V |
| Поставщик Упаковка устройства: | DO-214AA (SMB) |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | DO-214AA, SMB |
| Другие названия: | SK315B M4G-ND SK315BM4G |
| Рабочая температура - Соединение: | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 10 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Диод Тип: | Schottky |
| Подробное описание: | Diode Schottky 150V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 100µA @ 150V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 3A |
| Емкостной @ В.Р., F: | - |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить SK315B M4G, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить SK315B M4G PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали SK315B M4G. Цена и время за выполнение SK315B M4G в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
