SNSR20F20NXT5G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить SNSR20F20NXT5G с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить SNSR20F20NXT5G с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | SNSR20F20NXT5G |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | DIODE SCHOTTKY 20V 2A 2DSN |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.14 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 470mV @ 2A |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 20V |
| Поставщик Упаковка устройства: | 2-DSN (1.6x.80) |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 2-XDFN |
| Рабочая температура - Соединение: | 150°C (Max) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 24 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Диод Тип: | Schottky |
| Подробное описание: | Diode Schottky 20V 2A (DC) Surface Mount 2-DSN (1.6x.80) |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 150µA @ 20V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 2A (DC) |
| Емкостной @ В.Р., F: | - |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить SNSR20F20NXT5G, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить SNSR20F20NXT5G PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали SNSR20F20NXT5G. Цена и время за выполнение SNSR20F20NXT5G в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
