SQJ910AEP-T1_GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить SQJ910AEP-T1_GE3 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить SQJ910AEP-T1_GE3 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | SQJ910AEP-T1_GE3 |
|---|---|
| производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Описание | MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.541 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Поставщик Упаковка устройства: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Серии: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7 mOhm @ 12A, 10V |
| Мощность - Макс: | 48W |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1869pF @ 15V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
| Тип FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Характеристика: | Standard |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 30V |
| Подробное описание: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить SQJ910AEP-T1_GE3, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить SQJ910AEP-T1_GE3 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали SQJ910AEP-T1_GE3. Цена и время за выполнение SQJ910AEP-T1_GE3 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
