TC58NVG2S0FTA00
Toshiba Memory America, Inc.
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить TC58NVG2S0FTA00 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить TC58NVG2S0FTA00 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | TC58NVG2S0FTA00 |
|---|---|
| производитель | Toshiba Memory America, Inc. |
| Описание | IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $7.20 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Время цикла записи - слово, страница: | 25ns |
|---|---|
| Напряжение тока - поставка: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Технологии: | FLASH - NAND (SLC) |
| Поставщик Упаковка устройства: | 48-TSOP I |
| Серии: | - |
| упаковка: | Tray |
| Упаковка /: | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Другие названия: | TC58NVG2S0FTA00B4H TC58NVG2S0FTA00YCJ |
| Рабочая Температура: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Тип памяти: | Non-Volatile |
| Размер памяти: | 4Gb (512M x 8) |
| Интерфейс памяти: | Parallel |
| Формат памяти: | FLASH |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I |
| Время доступа: | 25ns |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить TC58NVG2S0FTA00, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить TC58NVG2S0FTA00 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали TC58NVG2S0FTA00. Цена и время за выполнение TC58NVG2S0FTA00 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
