UT6MA3TCR
LAPIS Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить UT6MA3TCR с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить UT6MA3TCR с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | UT6MA3TCR |
|---|---|
| производитель | ROHM |
| Описание | 20V NCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.352 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1.5V @ 1mA |
|---|---|
| Поставщик Упаковка устройства: | HUML2020L8 |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 59 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Мощность - Макс: | 2W |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 6-PowerUDFN |
| Другие названия: | UT6MA3TCRTR |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 40 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 460pF @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 6.5nC @ 4.5V |
| Тип FET: | N and P-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 20V |
| Подробное описание: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 5A, 5.5A 2W Surface Mount HUML2020L8 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 5A, 5.5A |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить UT6MA3TCR, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить UT6MA3TCR PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали UT6MA3TCR. Цена и время за выполнение UT6MA3TCR в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
