VS-10WT10FN
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить VS-10WT10FN с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить VS-10WT10FN с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | VS-10WT10FN |
|---|---|
| производитель | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Описание | DIODE SCHOTTKY 100V 10A DPAK |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Пиковое обратное (Макс): | Schottky |
|---|---|
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 10A |
| Напряжение - Разбивка: | TO-252, (D-Pak) |
| Серии: | - |
| Статус RoHS: | Tube |
| Обратное время восстановления (ТИР): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Сопротивление @ Если, F: | - |
| поляризация: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия: | VS10WT10FN |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | VS-10WT10FN |
| Расширенное описание: | Diode Schottky 100V 10A Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Диод Конфигурация: | 50µA @ 100V |
| Описание: | DIODE SCHOTTKY 100V 10A DPAK |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 810mV @ 10A |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode): | 100V |
| Емкостной @ В.Р., F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить VS-10WT10FN, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить VS-10WT10FN PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали VS-10WT10FN. Цена и время за выполнение VS-10WT10FN в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
