ZXMN2A04DN8TC
Diodes Incorporated
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить ZXMN2A04DN8TC с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить ZXMN2A04DN8TC с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | ZXMN2A04DN8TC |
|---|---|
| производитель | Diodes Incorporated |
| Описание | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 700mV @ 250µA (Min) |
|---|---|
| Поставщик Упаковка устройства: | 8-SOP |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
| Мощность - Макс: | 1.8W |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1880pF @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 22.1nC @ 5V |
| Тип FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Характеристика: | Logic Level Gate |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 20V |
| Подробное описание: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SOP |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 5.9A |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить ZXMN2A04DN8TC, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить ZXMN2A04DN8TC PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали ZXMN2A04DN8TC. Цена и время за выполнение ZXMN2A04DN8TC в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
