1N8031-GA
GeneSiC Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 1N8031-GA с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 1N8031-GA с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | 1N8031-GA |
|---|---|
| производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Описание | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 10 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $172.134 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Пиковое обратное (Макс): | Silicon Carbide Schottky |
|---|---|
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1A |
| Напряжение - Разбивка: | TO-276 |
| Серии: | - |
| Статус RoHS: | Tube |
| Обратное время восстановления (ТИР): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Сопротивление @ Если, F: | 76pF @ 1V, 1MHz |
| поляризация: | TO-276AA |
| Другие названия: | 1242-1118 1N8031GA |
| Рабочая температура - Соединение: | 0ns |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 18 Weeks |
| Номер детали производителя: | 1N8031-GA |
| Расширенное описание: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 1A Through Hole TO-276 |
| Диод Конфигурация: | 5µA @ 650V |
| Описание: | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 1.5V @ 1A |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode): | 650V |
| Емкостной @ В.Р., F: | -55°C ~ 250°C |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить 1N8031-GA, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить 1N8031-GA PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали 1N8031-GA. Цена и время за выполнение 1N8031-GA в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для 1N8031-GA
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
1N8165US | Microsemi | TVS DIODE 33V 53.6V | запрос |
 |
1N8030-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 | запрос |
 |
1N8035-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 | запрос |
|
1N8024-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 | запрос |
 |
1N821-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | запрос |
|
1N8033-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 | запрос |
|
1N8032-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 | запрос |
 |
1N821AUR | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | запрос |
|
1N821 | Microsemi | DIODE ZENER DO35 | запрос |
|
1N821A | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | запрос |
|
1N821AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | запрос |
|
1N8034-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 | запрос |
|
1N8028-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 | запрос |
|
1N822 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | запрос |
|
1N821A, SEL. 1% VBR | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | запрос |
|
1N821A (DO35) | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | запрос |
|
1N8149 | Microsemi | TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL | запрос |
|
1N821UR-1 | Microchip | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | запрос |
|
1N8026-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 | запрос |
|
1N8182 | Microsemi | TVS DIODE 170V 294V A AXIAL | запрос |