1N8149
Microsemi
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 1N8149 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 1N8149 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | 1N8149 |
|---|---|
| производитель | Microsemi |
| Описание | TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $23.857 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Обратный STANDOFF (типовое): | 6.8V |
|---|---|
| Напряжение - зажим (макс.) @ Ipp: | 12.8V |
| Напряжение - пробой (мин.): | 7.79V |
| Однонаправленные каналы: | 1 |
| Тип: | Zener |
| Поставщик Упаковка устройства: | A, Axial |
| Серии: | - |
| Защита линий электропередач: | No |
| Мощность - пиковый импульс: | 150W |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | A, Axial |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 18 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Ток - Пиковый импульс (10 / 1000μs): | 11.7A |
| Емкость @ Частота: | - |
| Приложения: | General Purpose |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить 1N8149, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить 1N8149 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали 1N8149. Цена и время за выполнение 1N8149 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для 1N8149
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
1N8030-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 | запрос |
 |
1N8165US | Microsemi | TVS DIODE 33V 53.6V | запрос |
|
1N8024-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 | запрос |
|
1N8028-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 | запрос |
 |
1N8031-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 | запрос |
 |
1N822 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | запрос |
|
1N8034-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 | запрос |
|
1N8033-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 | запрос |
|
1N821A | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | запрос |
|
1N821-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | запрос |
|
1N821A, SEL. 1% VBR | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | запрос |
|
1N8182 | Microsemi | TVS DIODE 170V 294V A AXIAL | запрос |
 |
1N821AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | запрос |
|
1N821 | Microsemi | DIODE ZENER DO35 | запрос |
|
1N821UR-1 | Microchip | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | запрос |
|
1N8026-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 | запрос |
|
1N8032-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 | запрос |
|
1N821AUR | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | запрос |
|
1N8035-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 | запрос |
|
1N821A (DO35) | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | запрос |