Свяжитесь с Atech Electronics Email: Info@atechelec.com | Онлайн - запрос
русский
English русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Micrel / Microchip Technology

APT34N80B2C3G
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить APT34N80B2C3G с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии

Запрос цитаты

Часть № APT34N80B2C3G
производитель Microchip
Описание MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Без свинца / Соответствует RoHS
Быть в наличии 3626 pcs
Ссылка Цена
(в долларах США)		1 pcs30 pcs120 pcs510 pcs
$13.14$11.046$10.15$8.657
Отправьте запрос для предложения о величинах, превышающих отображаемые.
Проходная цена:(USD)
Количество:
Всего:
$13.14

Спецификация

Техническая спецификация

Vgs (й) (Max) @ Id:3.9V @ 2mA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:T-MAX™ [B2]
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:145 mOhm @ 22A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):417W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3 Variant
Другие названия:APT34N80B2C3GMI
APT34N80B2C3GMI-ND
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:12 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:4510pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:355nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):800V
Подробное описание:N-Channel 800V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:34A (Tc)
Email:info@atechelec.com

Вводить

Мы можем предоставить APT34N80B2C3G, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить APT34N80B2C3G PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали APT34N80B2C3G. Цена и время за выполнение APT34N80B2C3G в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад

Связанные части для APT34N80B2C3G

Фото Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT35GP120B2DQ2G Image APT35GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TMAX запрос
APT35GP120BG Image APT35GP120BG Microchip IGBT 1200V 96A 543W TO247 запрос
APT34F60BG Image APT34F60BG Microsemi MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 запрос
APT34F60B Image APT34F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 запрос
APT35GP120JDQ2 Image APT35GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 запрос
APT34F100B2 Image APT34F100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX запрос
APT34N80LC3G Image APT34N80LC3G Microchip MOSFET N-CH 800V 34A TO-264 запрос
APT34F100L Image APT34F100L Microchip MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 запрос
APT33N90JCCU3 Image APT33N90JCCU3 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 запрос
APT35GN120BG Image APT35GN120BG Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO247 запрос
APT33N90JCU2 Image APT33N90JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 запрос
APT35GP120J Image APT35GP120J Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 запрос
APT35GN120L2DQ2G Image APT35GN120L2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO264 запрос
APT34M120J Image APT34M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227 запрос
APT33N90JCU3 Image APT33N90JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 запрос
APT35DL120HJ Image APT35DL120HJ Microsemi DIODE MODULE 1.2KV SOT227 запрос
APT35GA90B Image APT35GA90B Microsemi IGBT 900V 63A 290W TO-247 запрос
APT33N90JCCU2 Image APT33N90JCCU2 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 запрос
APT35GA90BD15 Image APT35GA90BD15 Microsemi IGBT 900V 63A 290W TO247 запрос
APT34M60B Image APT34M60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 запрос