Свяжитесь с Atech Electronics Email: Info@atechelec.com | Онлайн - запрос
русский
English русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > APT37M100B2

APT37M100B2

Microsemi

APT37M100B2
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить APT37M100B2 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии

Запрос цитаты

Часть № APT37M100B2
производитель Microsemi
Описание MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Без свинца / Соответствует RoHS
Быть в наличии 30 pcs
Ссылка Цена
(в долларах США)		1 pcs30 pcs120 pcs
$24.77$21.058$19.571
Отправьте запрос для предложения о величинах, превышающих отображаемые.
Проходная цена:(USD)
Количество:
Всего:
$24.77

Спецификация

Техническая спецификация

Vgs (й) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:T-MAX™ [B2]
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:330 mOhm @ 18A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):1135W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3 Variant
Другие названия:APT37M100B2MI
APT37M100B2MI-ND
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:17 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:9835pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:305nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):1000V
Подробное описание:N-Channel 1000V 37A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:37A (Tc)
Email:info@atechelec.com

Вводить

Мы можем предоставить APT37M100B2, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить APT37M100B2 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали APT37M100B2. Цена и время за выполнение APT37M100B2 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад

Связанные части для APT37M100B2

Фото Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT35GT120JU2 Image APT35GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 запрос
APT35GT120JU3 Image APT35GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 55A 260W SOT227 запрос
APT36GA60B Image APT36GA60B Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 запрос
APT37F50B Image APT37F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 запрос
APT39M60J Image APT39M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 запрос
APT38N60BC6 Image APT38N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 38A TO-247 запрос
APT35GP120JDQ2 Image APT35GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 запрос
APT37F50S Image APT37F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK запрос
APT4012BVR Microsemi MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD запрос
APT36GA60BD15 Image APT36GA60BD15 Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 запрос
APT38F80B2 Image APT38F80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX запрос
APT38N60SC6 Image APT38N60SC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK запрос
APT39F60J Image APT39F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 запрос
APT38M50J Image APT38M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP запрос
APT35SM70S Microsemi MOSFET N-CH 700V D3PAK запрос
APT38F50J Image APT38F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 запрос
APT38F80L Image APT38F80L Microchip MOSFET N-CH 800V 41A TO-264 запрос
APT36N90BC3G Image APT36N90BC3G Microsemi MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 запрос
APT35SM70B Microsemi MOSFET N-CH 700V TO247 запрос
APT37M100L Image APT37M100L Microchip MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 запрос