Свяжитесь с Atech Electronics Email: Info@atechelec.com | Онлайн - запрос
русский
English русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMT10H010LCT

DMT10H010LCT

Diodes Incorporated

Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить DMT10H010LCT с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии

Запрос цитаты

Часть № DMT10H010LCT
производитель Diodes Incorporated
Описание MOSFET N-CH 100V TO220AB
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Содержит совместимость с RoHS / RoHS
Быть в наличии 94 pcs
Ссылка Цена
(в долларах США)		1 pcs50 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$1.85$1.495$1.346$1.047$0.867
Отправьте запрос для предложения о величинах, превышающих отображаемые.
Проходная цена:(USD)
Количество:
Всего:
$1.85

Спецификация

Техническая спецификация

Vgs (й) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-220AB
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.5 mOhm @ 13A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):2W (Ta), 139W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-220-3
Другие названия:DMT10H010LCTDI
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:16 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:3000pF @ 50V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:71nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):100V
Подробное описание:N-Channel 100V 98A (Tc) 2W (Ta), 139W (Tc) Through Hole TO-220AB
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:98A (Tc)
Email:info@atechelec.com

Вводить

Мы можем предоставить DMT10H010LCT, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить DMT10H010LCT PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали DMT10H010LCT. Цена и время за выполнение DMT10H010LCT в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад

Связанные части для DMT10H010LCT

Фото Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
DMT-6-12 Bel XFRMR LAMINATED 6VA CHAS MOUNT запрос
DMT10H010LPS-13 Image DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 9.4A запрос
DMT-EXTPS Amprobe DM-III & MT-2000 EXTERNAL POWER запрос
DMT-7-15 Bel XFRMR LAMINATED 7VA CHAS MOUNT запрос
DMT10H009SPS-13 Diodes Inc. запрос
DMT10H015LFG-13 Image DMT10H015LFG-13 Diodes Inc. MOSFET N-CH 100V 10A запрос
DMT10H015LCG-7 Diodes Incorporated MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN запрос
DMT-8-15 Bel XFRMR LAMINATED 8VA CHAS MOUNT запрос
DMT10H014LSS-13 Image DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO запрос
DMT-6-15 Bel XFRMR LAMINATED 6VA CHAS MOUNT запрос
DMT10H015LK3-13 Image DMT10H015LK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252 запрос
DMT10H010LK3-13 Image DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252 запрос
DMT10H015LSS-13 Image DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 8.3A запрос
DMT-8-12 Bel XFRMR LAMINATED 8VA CHAS MOUNT запрос
DMT10H015LCG-13 Diodes Incorporated MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN запрос
DMT10H015LFG-7 Image DMT10H015LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 10A запрос
DMT10H015LPS-13 Image DMT10H015LPS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 7.3A запрос
DMT-7-12 Bel XFRMR LAMINATED 7VA CHAS MOUNT запрос
DMT10H010LSS-13 Image DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V SO-8 запрос
DMT10H010SPS-13 Image DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 запрос