Свяжитесь с Atech Electronics Email: Info@atechelec.com | Онлайн - запрос
русский
English русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13

Diodes Incorporated

DMT10H010LPS-13
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить DMT10H010LPS-13 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии

Запрос цитаты

Часть № DMT10H010LPS-13
производитель Diodes Incorporated
Описание MOSFET N-CH 100V 9.4A
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Содержит совместимость с RoHS / RoHS
Вызов
Ссылка Цена
(в долларах США)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$1.82$1.616$1.277$0.99$0.782
Отправьте запрос для предложения о величинах, превышающих отображаемые.
Проходная цена:(USD)
Количество:
Всего:
$1.82

Спецификация

Техническая спецификация

Vgs (й) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:PowerDI5060-8
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.5 mOhm @ 13A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):1.2W (Ta), 139W (Tc)
упаковка:Cut Tape (CT)
Упаковка /:8-PowerTDFN
Другие названия:DMT10H010LPS-13DICT
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:20 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:3000pF @ 50V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:71nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):100V
Подробное описание:N-Channel 100V 9.4A (Ta), 98A (Tc) 1.2W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:9.4A (Ta), 98A (Tc)
Email:info@atechelec.com

Вводить

Мы можем предоставить DMT10H010LPS-13, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить DMT10H010LPS-13 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали DMT10H010LPS-13. Цена и время за выполнение DMT10H010LPS-13 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад

Связанные части для DMT10H010LPS-13

Фото Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
DMT10H015LCG-7 Diodes Incorporated MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN запрос
DMT-7-15 Bel XFRMR LAMINATED 7VA CHAS MOUNT запрос
DMT-6-15 Bel XFRMR LAMINATED 6VA CHAS MOUNT запрос
DMT-7-12 Bel XFRMR LAMINATED 7VA CHAS MOUNT запрос
DMT10H015LCG-13 Diodes Incorporated MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN запрос
DMT10H014LSS-13 Image DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO запрос
DMT-8-12 Bel XFRMR LAMINATED 8VA CHAS MOUNT запрос
DMT-EXTPS Amprobe DM-III & MT-2000 EXTERNAL POWER запрос
DMT10H015LFG-13 Image DMT10H015LFG-13 Diodes Inc. MOSFET N-CH 100V 10A запрос
DMT10H009SPS-13 Diodes Inc. запрос
DMT10H010LSS-13 Image DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V SO-8 запрос
DMT10H015LFG-7 Image DMT10H015LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 10A запрос
DMT10H010LCT Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V TO220AB запрос
DMT10H015LK3-13 Image DMT10H015LK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252 запрос
DMT10H010SPS-13 Image DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 запрос
DMT-6-12 Bel XFRMR LAMINATED 6VA CHAS MOUNT запрос
DMT10H015LPS-13 Image DMT10H015LPS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 7.3A запрос
DMT10H015LSS-13 Image DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 8.3A запрос
DMT10H010LK3-13 Image DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252 запрос
DMT-8-15 Bel XFRMR LAMINATED 8VA CHAS MOUNT запрос