JAN1N5553US
Microsemi
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить JAN1N5553US с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить JAN1N5553US с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | JAN1N5553US |
|---|---|
| производитель | Microsemi |
| Описание | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $13.688 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1.3V @ 9A |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 800V |
| Поставщик Упаковка устройства: | D-5B |
| скорость: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии: | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 2µs |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | SQ-MELF, B |
| Другие названия: | 1086-19416 1086-19416-MIL |
| Рабочая температура - Соединение: | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 8 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Диод Тип: | Standard |
| Подробное описание: | Diode Standard 800V 3A Surface Mount D-5B |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 1µA @ 800V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 3A |
| Емкостной @ В.Р., F: | - |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить JAN1N5553US, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить JAN1N5553US PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали JAN1N5553US. Цена и время за выполнение JAN1N5553US в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для JAN1N5553US
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5556 | Microsemi | TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13 | запрос |
 |
JAN1N5614US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A | запрос |
 |
JAN1N5611 | Microsemi | TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL | запрос |
|
JAN1N5612 | Microsemi | TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL | запрос |
|
JAN1N5553 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5551US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF | запрос |
|
JAN1N5552 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5550US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF | запрос |
 |
JAN1N5546CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA | запрос |
|
JAN1N5554 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL | запрос |
 |
JAN1N5554US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B | запрос |
|
JAN1N5610 | Microsemi | TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL | запрос |
 |
JAN1N5551 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5558 | Microsemi | TVS DIODE 175V 265V DO13 | запрос |
 |
JAN1N5550 | Microchip | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | запрос |
 |
JAN1N5552US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF | запрос |
 |
JAN1N5614 | Microchip | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5546DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA | запрос |
|
JAN1N5555 | Microsemi | TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13 | запрос |
 |
JAN1N5546D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO35 | запрос |