JAN1N5610
Microsemi
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить JAN1N5610 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить JAN1N5610 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | JAN1N5610 |
|---|---|
| производитель | Microsemi |
| Описание | TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Обратный STANDOFF (типовое): | 30.5V |
|---|---|
| Напряжение - зажим (макс.) @ Ipp: | 47.6V |
| Напряжение - пробой (мин.): | 33V |
| Однонаправленные каналы: | 1 |
| Тип: | Zener |
| Поставщик Упаковка устройства: | G, Axial |
| Серии: | Military, MIL-PRF-19500/434 |
| Защита линий электропередач: | No |
| Мощность - пиковый импульс: | 1500W (1.5kW) |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | G, Axial |
| Другие названия: | 1086-15766 1086-15766-MIL |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Ток - Пиковый импульс (10 / 1000μs): | 32A |
| Емкость @ Частота: | - |
| Приложения: | General Purpose |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить JAN1N5610, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить JAN1N5610 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали JAN1N5610. Цена и время за выполнение JAN1N5610 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для JAN1N5610
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5551US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF | запрос |
|
JAN1N5553US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF | запрос |
 |
JAN1N5611 | Microsemi | TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL | запрос |
|
JAN1N5552 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | запрос |
 |
JAN1N5614US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A | запрос |
 |
JAN1N5616 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | запрос |
 |
JAN1N5552US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF | запрос |
|
JAN1N5617US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A D5A | запрос |
|
JAN1N5554 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5616US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A D5A | запрос |
 |
JAN1N5614 | Microchip | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | запрос |
 |
JAN1N5554US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B | запрос |
|
JAN1N5556 | Microsemi | TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13 | запрос |
|
JAN1N5612 | Microsemi | TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL | запрос |
|
JAN1N5558 | Microsemi | TVS DIODE 175V 265V DO13 | запрос |
 |
JAN1N5617 | Microchip | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5553 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL | запрос |
 |
JAN1N5615US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A | запрос |
|
JAN1N5555 | Microsemi | TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13 | запрос |