MURS105T3
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить MURS105T3 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить MURS105T3 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | MURS105T3 |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | DIODE GEN PURP 50V 2A SMB |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 875mV @ 1A |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 50V |
| Поставщик Упаковка устройства: | SMB |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | - |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 35ns |
| упаковка: | Original-Reel® |
| Упаковка /: | DO-214AA, SMB |
| Другие названия: | MURS105T3OSDKR |
| Рабочая температура - Соединение: | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Диод Тип: | Standard |
| Подробное описание: | Diode Standard 50V 2A Surface Mount SMB |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 2µA @ 50V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 2A |
| Емкостной @ В.Р., F: | - |
| Номер базового номера: | MURS105 |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить MURS105T3, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить MURS105T3 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали MURS105T3. Цена и время за выполнение MURS105T3 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
