APT102GA60B2
Microsemi
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить APT102GA60B2 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить APT102GA60B2 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | APT102GA60B2 |
|---|---|
| производитель | Microsemi |
| Описание | IGBT 600V 183A 780W TO247 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 600V |
|---|---|
| Vce (на) (Max) @ VGE, Ic: | 2.5V @ 15V, 62A |
| режим для испытаний: | 400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (вкл / выкл) при 25 ° C: | 28ns/212ns |
| Переключение энергии: | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) |
| Серии: | POWER MOS 8™ |
| Мощность - Макс: | 780W |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-247-3 Variant |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип ввода: | Standard |
| Тип IGBT: | PT |
| Заряд затвора: | 294nC |
| Подробное описание: | IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole |
| Ток - Коллектор Импульсные (ICM): | 307A |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 183A |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить APT102GA60B2, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить APT102GA60B2 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали APT102GA60B2. Цена и время за выполнение APT102GA60B2 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для APT102GA60B2
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
APT10M11LVR | Microchip | запрос | |
 |
APT10DC120HJ | Microsemi | DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 | запрос |
 |
APT100GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | запрос |
 |
APT10M09B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | запрос |
|
APT100GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | запрос |
|
APT100GT60JRDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | запрос |
 |
APT100S20BG | Microchip | DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 | запрос |
 |
APT100S20LCTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 | запрос |
|
APT102GA60L | Microsemi | IGBT 600V 183A 780W TO264 | запрос |
 |
APT100M50J | Microchip | MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 | запрос |
|
APT100GT120JRDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | запрос |
|
APT100GT60B2RG | Microsemi | IGBT 600V 148A 500W SOT247 | запрос |
 |
APT10M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP | запрос |
|
APT106N60B2C6 | Microchip | MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 | запрос |
|
APT10M07JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP | запрос |
|
APT10M11JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | запрос |
|
APT100MC120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP | запрос |
|
APT10M11B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | запрос |
|
APT10M11JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | запрос |
|
APT100GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | запрос |